參數資料
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
88
Performance
NOTES:
These parameters are tested based on INT bit of interrupt register. Because the time on INT pin is related to the pull-up and
pull-down resistor value. Please refer to page 73 and 74.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Sector Load time (Note 1)
t
RD1
-
40
45
μ
s
Page Load time (Note 1)
t
RD2
-
85
100
μ
s
Sector Program time (Note 1)
t
PGM1
-
320
720
μ
s
Page Program time (Note 1)
t
PGM2
-
350
750
μ
s
OTP Access time(Note 1)
t
OTP
-
600
1000
ns
Lock/Unlock/Lock-tight time (Note 1)
t
LOCK
-
600
1000
ns
Number of Partial Program Cycles in the sector
(Including main and spare area)
NOP
-
-
2
cycles
Block Erase time (Note 1)
1 Block
t
BERS1
-
2
3
ms
相關PDF資料
PDF描述
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參數描述
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KFG1G1612M-DED5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1G16D2M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
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