參數(shù)資料
型號(hào)： KFG1216U2M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁(yè)數(shù)： 74/93頁(yè)
文件大小： 1219K
代理商： KFG1216U2M
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
74
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’Low’
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tf[us]
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.067
tr[ns]
0.586
1.02
1.356
6.49
6.49
6.49
6.49
1.75
0.18
0.09
40K
50K
1.623
1.84
6.49
6.49
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
4.05
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Busy State
Ready
VOH
tf
tr
VOL
Vss
Vcc
Technical Notes
(Continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG1216U2M-DIB FLASH MEMORY
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KFH1G16Q2M-DED .025 SOCKET STRIPS
KFH1G16Q2M-DED5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DED6 FLASH MEMORY(54MHz)
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參數(shù)描述
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KFG1216U2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216U2M-DIB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216U2M-DID 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1G1612M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
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