參數(shù)資料
型號(hào): KFG1G16D2M-DEB5
廠(chǎng)商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述: 閃存(54MHz之間)
文件頁(yè)數(shù): 74/93頁(yè)
文件大?。?/td> 1219K
代理商: KFG1G16D2M-DEB5
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
74
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’Low’
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tf[us]
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.067
tr[ns]
0.586
1.02
1.356
6.49
6.49
6.49
6.49
1.75
0.18
0.09
40K
50K
1.623
1.84
6.49
6.49
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
4.05
0.000
Busy State
Ready
VOH
tf
tr
VOL
Vss
Vcc
Technical Notes
(Continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG1G16D2M-DEB6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DED FLASH MEMORY
KFG1G16D2M-DED5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DED6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DIB FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
KFG1G16D2M-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1G16D2M-DED5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DED6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DIB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY