參數(shù)資料
型號(hào)： KFG1G16D2M-DID
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁數(shù)： 74/93頁
文件大?。?/td> 1219K
代理商： KFG1G16D2M-DID
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
74
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’Low’
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tf[us]
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.067
tr[ns]
0.586
1.02
1.356
6.49
6.49
6.49
6.49
1.75
0.18
0.09
40K
50K
1.623
1.84
6.49
6.49
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
4.05
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Busy State
Ready
VOH
tf
tr
VOL
Vss
Vcc
Technical Notes
(Continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG1G16D2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DIB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DIB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16D2M-DIB5 FLASH MEMORY(54MHz)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFG1G16D2M-DID5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16Q2A-DEB5000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
KFG1G16Q2A-DEB6000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
KFG1G16Q2A-DEB8000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GNOFLASHADE-MUXED SLC W/X1663 FBGA(10X13) - Bulk
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