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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1G16U2M-DEB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 120/125頁 |
| 文件大小： | 1657K |
| 代理商： | KFG1G16U2M-DEB |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
120
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Because the pull-up resistor value is related to tr(INT) an appropriate value can obtained with the following reference charts.
7.1.3 Determining Rp Value
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr[us]
KFG1G16Q2M @ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.089
tf[ns]
0.7727
1.345
1.788
3.77
3.77
3.77
3.77
1.75
0.18
0.09
40K
50K
2.142
2.431
3.77
3.77
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
5.420
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Busy State
Ready Vcc
VOH
tf
tr
VOL
Vss
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’High’
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr[us]
KFW4G16Q2M @ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.232
tf[ns]
1.461
2.08
2.427
6.93
6.93
6.93
6.93
1.77
0.18
0.09
40K
50K
2.65
2.805
6.93
6.93
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
5.820
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr[us]
KFH2G16Q2M @ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.161
tf[ns]
1.238
1.97
2.458
8.73
8.73
8.73
8.73
1.75
0.18
0.09
40K
50K
2.807
3.07
8.73
8.73
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
3.785
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16U2M-DEB | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DEB6 | FLASH MEMORY(66MHz) |
| KFW4G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(66MHz) |
| KFW4G16Q2M | FLASH MEMORY(66MHz) |
| KFG1G16Q2M-DEB | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1G16U2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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