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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG2816U1M-DEB |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | OneNAND SPECIFICATION |
| 中文描述： | OneNAND的規(guī)格 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 66/87頁(yè) |
| 文件大小： | 1175K |
| 代理商： | KFG2816U1M-DEB |
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OneNAND128
FLASH MEMORY
66
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr[us]
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.089
tf[ns]
0.7727
1.345
1.788
3.77
3.77
3.77
3.77
1.75
0.18
0.09
40K
50K
2.142
2.431
3.77
3.77
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
5.420
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Busy State
Ready Vcc
VOH
tf
tr
VOL
Vss
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’High’
Determing Rp Value
Because the pull-up resistor value is related to tr(INT), an appropriate value can be obtained by the following reference charts.
Technical Notes
(Continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG2816U1M-DED | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DIB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-PEB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-PED | OneNAND SPECIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG2816U1M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-PEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-PED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
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