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參數(shù)資料
| 型號： | KFG2G1612M-DED5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 115/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFG2G1612M-DED5 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
115
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
NOTE:
1. Internal reset operation means that the device initializes internal registers and makes output signals go to default status and bufferRAM data are kept
unchanged after Warm/Hot reset operations.
2. Reset command : Command based reset or Register based reset
3. BP(Boot Partition): BootRAM area [0000h~01FFh, 8000h~800Fh]
4. 00F0h for BP, and 00F3h for F220h
AVD
BP(Note 3)
or F220h
INT
bit
A0~A15
WE
CE
RDY
Operation or Idle
OneNAND reset
Idle
OneNAND
Operation
High-Z
DQ0~DQ15
00F0h
or 00F3h
4)
6.13 Hot Reset Timing
OE
t
Ready
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16U2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFH1G16U2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DID | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG2G16D2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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