- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373128 > KFG2G16D2M-DID5 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY(54MHz) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KFG2G16D2M-DID5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 89/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFG2G16D2M-DID5 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁當前第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
89
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
An OTP Program Operation accesses the OTP area and programs content from the DataRAM on-chip buffer to the designated
page(s) of the OTP.
A memory location in the OTP area can be programmed only one time (no erase operation permitted).
The OTP area is programmed using the same sequence as normal program operation after being accessed by the command (see
section 3.8 for more information).
Programming the OTP Area
Issue the OTP Access Command
Write data into the DataRAM (data can be input at anytime between the "Start" and "Write Program" commands)
Issue a Flash Block Address (FBA) which is unlocked area address of NAND Flash Array address map.
Issue a Write Program command to program the data from the DataRAM into the OTP
When the OTP programming is complete, do a Cold-, Warm-, Hot-, NAND Flash Core Reset to exit the OTP Access mode.
3.11.2 OTP Program Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG2G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG2G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2A-DEB8000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Parallel/Serial 1.8V 2Gbit 128M x 16bit 76ns 63-Pin FBGA Tray |
| KFG2G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DEB8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。