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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG2G16D2M-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 77/125頁 |
| 文件大小： | 1657K |
| 代理商： | KFG2G16D2M-DID6 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
77
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
When the CE or OE input is at V
IH
, output from the device is disabled.
The outputs are placed in the high impedance state.
The Program operation is used to program data from the on-chip BufferRAMs into the NAND FLASH memory array.
The device has two 2KB data buffers, each 1 Page (2KB + 64B) in size. Each page has 4 sectors of 512B each main area and 16B
spare area. The device can be programmed in units of 1~4 sectors.
The architecture of the DataRAMs permits a simultaneous data-write operation from the Host to one of data buffers and a program
operation from the other data buffer to the NAND Flash Array memory. Refer to Section 3.12.2, "Write While Program Operation", for
more information.
3.8 Program Operation
See Timing Diagram 6.9
Within a block, the pages must be programmed consecutively from the LSB (least significant bit) page of the block to MSB (most sig-
nificant bit) pages of the block. Random page address programming is prohibited.
From the LSB page to MSB page
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(1)
(2)
(3)
(32)
(64)
Data register
Page 0
Page 1
Page 2
Page 31
Page 63
Ex.) Random page program (Prohibition)
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(2)
(32)
(3)
(1)
(64)
Data register
Page 0
Page 1
Page 2
Page 31
Page 63
Addressing for program operation
:
:
:
:
3.7.4 Output Disable Mode Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG2G16Q2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG2G16Q2A-DEB8000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Parallel/Serial 1.8V 2Gbit 128M x 16bit 76ns 63-Pin FBGA Tray |
| KFG2G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DEB8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG2G16Q2M-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GNOFLASHADE-MUXED SLC W/X1663 FBGA (11X13) - Bulk |
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