參數(shù)資料
型號(hào)： KFG4G16D2M-DED6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁(yè)數(shù)： 15/125頁(yè)
文件大?。?/td> 1657K
代理商： KFG4G16D2M-DED6
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
15
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
BootRAM
H
CLK
OE
WE
RP
AVD
StateMachine
Bootloader
Internal Registers
(Address/Command/Configuration
/Status Registers)
Error
Correction
Logic
INT
DataRAM0
BufferRAM
NAND Flash
Array
OTP
(One Block)
RDY
A15~A0
DQ15~DQ0
2.6 Memory Array Organization
The OneNAND architecture integrates several memory areas on a single chip.
2.6.1 Internal (NAND Array) Memory Organization
The on-chip internal memory is a single-level-cell (SLC) NAND array used for data storage and code. The internal memory is divided
into a main area and a spare area.
Main Area
The main area is the primary memory array. This main area is divided into Blocks of 64 Pages. Within a Block, each Page is 2KB and
is comprised of 4 Sectors. Within a Page, each Sector is 512B and is comprised of 256 Words.
Spare Area
The spare area is used for invalid block information and ECC storage. Spare area of internal memory is associated with correspond-
ing main area of internal memory. Within a Block, each Page has four 16B Sectors of spare area. Each spare area Sector is 8 words.
DataRAM1
CE2
CE / CE1
2.5 Block Diagram
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG4G16D2M-DIB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16D2M-DIB6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16D2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16D2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16Q2M-DED5 FLASH MEMORY(54MHz)
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參數(shù)描述
KFG4G16D2M-DIB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16D2M-DIB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16D2M-DID5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16D2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16Q2M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
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