參數(shù)資料
型號(hào)： KFG4G16Q2M-DED5
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁(yè)數(shù)： 81/125頁(yè)
文件大?。?/td> 1657K
代理商： KFG4G16Q2M-DED5
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)當(dāng)前第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
81
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
The Copy-Back Program Operation with Random Data Input in OneNAND consists of 2 phase, Load data into DataRAM, Modify data
and program into designated page. Data from the source page is saved in one of the on-chip DataRAM buffers and modified by the
host, then programmed into the destination page.
As shown in the flow chart, data modification is possible upon completion of load operation. ECC is also available at the end of load
operation. Therefore, using hardware ECC of OneNAND, accumulation of 1 bit error can be avoided.
Copy-Back Program Operation with Random Data Input will be effectively utilized at modifying certain bit, byte, word, or sector of
source page to destination page while it is being copied.
Copy-Back Program Operation with Random Data Input Flow Chart
Start
Write ’DFS*, FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=DFS, FBA
Write ’FPA, FSA’ of Flash
Add: F107h DQ=FPA, FSA
Write ’BSA, BSC’ of DataRAM
Add: F200h DQ=BSA, BSC
Select DataRAM for DDP
Add: F101h DQ=DBS
Write ’Load’ Command
Add: F220h
DQ=0000h or 0013h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Read Controller
Status Register
Add: F240h DQ[10]=Error
DQ[10]=0
NO
YES
* DBS, DFS is for DDP
Map Out
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Copy back completed
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Read Controller
Status Register
Add: F240h DQ[10]=Error
DQ[10]=0
Copy back Error
YES
NO
Random Data Input
Write ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=FBA
Write ’FPA, FSA’ of Flash
Add: F107h DQ=FPA, FSA
Write ’Program’ Command
Add: F220h
DQ=0080h or 001Ah
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Add: Random Address in
Selected DataRAM
DQ=Data
3.9.1 Copy-Back Program Operation with Random Data Input
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG4G16Q2M-DED6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16Q2M-DIB6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16Q2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16Q2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16U2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFG4G16Q2M-DED6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16Q2M-DIB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16Q2M-DIB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16Q2M-DID5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG4G16Q2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*