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參數(shù)資料
| 型號： | KFG4G16Q2M-DIB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 113/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFG4G16Q2M-DIB6 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
113
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Note: 1) Bootcode copy operation starts 400us later than POR activation.
The system power should reach Vcc after POR triggering level(typ. 1.5V) within 400us for valid boot code data.
2) 1K bytes Bootcode copy takes 70us(estimated) from sector0 and sector1/page0/block0 of NAND Flash array to BootRAM.
Host can read Bootcode in BootRAM(1K bytes) after Bootcode copy completion.
3) INT register goes ‘Low’ to ‘High’ on the condition of ‘Bootcode-copy done’ and RP rising edge.
If RP goes ‘Low’ to ‘High’ before ‘Bootcode-copy done’, INT register goes to ‘Low’ to ‘High’ as soon as ‘Bootcode-copy done’
System Power
Sleep
Bootcode copy
Idle
Bootcode - copy done
POR triggering level
3)
2)
RP
INT
OneNAND
Operation
0 (default)
1
IOBE bit
1 (default)
INTpol bit
High-Z
1)
INT bit
0 (default)
1
6.11 Cold Reset Timing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG4G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16Q2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW2G16U2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW2G16U2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG4G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16U2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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