參數(shù)資料
型號： KFG4G16U2M-DID6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數(shù)： 123/125頁
文件大小： 1657K
代理商： KFG4G16U2M-DID6
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
123
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Reservoir
File System
Os Image
NBL3
NBL2
NBL1
Partition 6
Block 162
Block 2
Block 1
Block 0
Partition 5
Sector 0 Sector 1 Sector 2 Sector 3
Page 63
Page 62
Page 2
Page 1
Page 0
B
Partition 4
Partition 3
Partition of NAND Flash array
:
:
Reservoir
File System
Os Image
BL2
BL1
Os Image
BL 2
NAND Flash Array
OneNAND
DRAM
OneNAND Boot Sequence
BL1
Internal BufferRAM
Data Ram 1
Data Ram 0
Boot Ram(BL 1)
NOTE
:
Step 2 and Step 3 can be copied into DRAM through two DataRAMs using dual buffering
Block 512
step 1
step 2
step 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFW2G16U2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW2G16U2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G1612M-DED5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16D2M-DEB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16D2M-DEB6 FLASH MEMORY(54MHz)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFG5616D1A-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616D1A-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616D1A-PEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616D1A-PEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616D1M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND256
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