- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373130 > KFH1216D2M-DIB (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KFH1216D2M-DIB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 77/93頁 |
| 文件大小： | 1219K |
| 代理商： | KFH1216D2M-DIB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁當(dāng)前第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
77
AC TEST CONDITION
(V
CC
= 1.8V/2.65V/3.3V)
Parameter
Value
Input Pulse Levels
0V to V
CC
Input Rise and Fall Times
CLK
3ns
other inputs
5ns
Input and Output Timing Levels
V
CC
/2
Output Load
C
L
= 30pF
0V
V
CC
V
CC
/2
V
CC
/2
Input Pulse and Test Point
Input & Output
Test Point
CAPACITANCE
(T
A
= 25
°
C, V
CC
= 1.8V/2.65V/3.3V, f = 1.0MHz)
NOTE
: Capacitance is periodically sampled and not 100% tested.
Item
Symbol
Test Condition
Single
DDP
Unit
Min
Max
Min
Max
Input Capacitance
C
IN1
V
IN
=0V
-
10
-
20
pF
Control Pin Capacitance
C
IN2
V
IN
=0V
-
10
-
20
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
=0V
-
10
-
20
pF
Output Load
Device
Under
Test
* C
L
= 30pF including scope
and Jig capacitance
VALID BLOCK
Note :
1. The
device
may include invalid blocks when first shipped. Additional invalid blocks may develop while being used. The number of valid blocks is pre-
sented with both cases of invalid blocks considered. Invalid blocks are defined as blocks that contain one or more bad bits
.
Do not erase or program
factory-marked bad blocks.
2. The 1st block, which is placed on 00h block address, is fully guaranteed to be a valid block.
Parameter
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Valid Block Number
N
VB
502
-
512
Blocks
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1216D2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFH1216U2M-DIB | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH1216D2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1216Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。