參數(shù)資料
型號(hào): KFH1216Q2M-DID
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: FLASH MEMORY
中文描述: 閃存
文件頁數(shù): 74/93頁
文件大?。?/td> 1219K
代理商: KFH1216Q2M-DID
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
74
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’Low’
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tf[us]
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.067
tr[ns]
0.586
1.02
1.356
6.49
6.49
6.49
6.49
1.75
0.18
0.09
40K
50K
1.623
1.84
6.49
6.49
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
4.05
0.000
Busy State
Ready
VOH
tf
tr
VOL
Vss
Vcc
Technical Notes
(Continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
KFH1216U2M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1216U2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
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