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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFH1G16D2M-DEB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 47/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFH1G16D2M-DEB6 |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
47
Figure 9. State diagram of NAND Flash Write Protection
NOTE:
1. Unlock range(from Start block address to End block address) can be modified by unlock command sequence(Start block address+End block address).
Power On
Start block address End block address
+Unlock block Command (Note 1)
RP pin: High
&
Start block address End block address
+Unlock block Command
RP pin: High
&
Lock block Command
RP pin: High
&
Lock-tight block Command
RP pin: High
&
Cold reset or
Warm reset
unlock
Lock
Lock
Lock-tight
Lock
unlock
Lock
unlock
Lock-tight
Lock
Lock-tight
Lock-tight block Command
RP pin: High
&
Cold reset or
Warm reset
or
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16D2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFH1G16D2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
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| KFH1G16D2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH1G16D2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16D2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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