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參數(shù)資料
| 型號： | KFH1G16D2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 33/93頁 |
| 文件大小： | 1219K |
| 代理商： | KFH1G16D2M-DED6 |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
33
7.18 System Configuration 1 Register (R, R/W): F221h, default=40C0h
RM
(Read Mode): this field specifies the selection between asynchronous read mode and synchronous read mode
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R
R
RM
BRL
BL
ECC
RDY
pol
INT
pol
IOB
E
Reserved(0000)
BW
PS
RM
Read Mode
0
Asynchronous read(default)
1
Synchronous read
BRL
Latency Cycles
000
8(N/A)
001
9(N/A)
010
10(N/A)
011
3(N/A)
100
4(default, min.)
101
5
110
6
111
7
BRL
(Burst Read Latency): this field specifies the initial access latency in the burst read transfer.
BL
Burst Length(Main)
Burst Length(Spare)
000
Continuous(default)
001
4 words
010
8 words
011
16 words
100
32 words
N/A
101~111
Reserved
BL
(Burst Length): this field specifies the size of burst length during Sync. burst read. Wrap around and linear burst.
ECC
: Error Correction Operation,
0=with correction(default), 1=without correction(by-passed)
RDYpol
: RDY signal polarity
0=low for ready, 1=high for ready((default)
INTpol
: INT pin polarity
0=low for Interrupt pending , 1=high for Interrupt pending (default)
IOBE
: I/O buffer enable for INT and RDY signals, INT and RDY outputs are HighZ at power-up, bit 7 and 6 become valid after IOBE is set to1.
IOBE can be reset only by Cold reset or by writing 0 to bit 5 of System Configuration 1 register.
0=disable(default), 1=enable
BWPS
: boot buffer write protect status,
0=locked(default)
INTpol
INT bit of Interrupt Status Register
INT Pin output
0
0
1
1
0
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16D2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFH1G16D2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16D2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFH1G16D2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH1G16D2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16D2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16D2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16D2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16D2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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