參數資料
型號: KFH1G16Q2M-DEB
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: FLASH MEMORY
中文描述: 閃存
文件頁數: 74/93頁
文件大小: 1219K
代理商: KFH1G16Q2M-DEB
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
74
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’Low’
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tf[us]
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.067
tr[ns]
0.586
1.02
1.356
6.49
6.49
6.49
6.49
1.75
0.18
0.09
40K
50K
1.623
1.84
6.49
6.49
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
4.05
0.000
Busy State
Ready
VOH
tf
tr
VOL
Vss
Vcc
Technical Notes
(Continued)
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PDF描述
KFG1216Q2M-DEB FLASH MEMORY
KFH1216Q2M-DEB FLASH MEMORY
KFH1G16Q2M-DEB5 FLASH MEMORY(54MHz)
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KFH1216D2M-DEB FLASH MEMORY
相關代理商/技術參數
參數描述
KFH1G16Q2M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1G16Q2M-DED5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DED6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)