參數(shù)資料
型號(hào)： KFH1G16Q2M-DIB
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁數(shù)： 47/93頁
文件大?。?/td> 1219K
代理商： KFH1G16Q2M-DIB
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
47
Figure 9. State diagram of NAND Flash Write Protection
NOTE:
1. Unlock range(from Start block address to End block address) can be modified by unlock command sequence(Start block address+End block address).
Power On
Start block address End block address
+Unlock block Command (Note 1)
RP pin: High
&
Start block address End block address
+Unlock block Command
RP pin: High
&
Lock block Command
RP pin: High
&
Lock-tight block Command
RP pin: High
&
Cold reset or
Warm reset
unlock
Lock
Lock
Lock-tight
Lock
unlock
Lock
unlock
Lock-tight
Lock
Lock-tight
Lock-tight block Command
RP pin: High
&
Cold reset or
Warm reset
or
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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KFH1G16Q2M-DID FLASH MEMORY
KFH1G16Q2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
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KH102 Analog IC
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參數(shù)描述
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KFH1G16Q2M-DID 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
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