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參數(shù)資料
| 型號： | KFH2G16D2M-DIB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 105/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH2G16D2M-DIB6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁當前第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
105
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
WE Cycle Time
t
WC
70
-
-
ns
AVD low pulse width
t
AVDP
12
-
-
ns
Address Setup Time
t
AWES
0
-
-
ns
Address Hold Time
t
AH
30
-
-
ns
Data Setup Time
t
DS
25
-
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
-
ns
CE Setup Time
t
CS
0
-
-
ns
CE Hold Time
t
CH
10
-
-
ns
WE Pulse Width
t
WPL
40
-
-
ns
WE Pulse Width High
t
WPH
30
-
-
ns
AVD Disable to WE Disable
t
VLWH
15
-
-
ns
WE Disable to AVD Enable
t
WEA
15
-
-
ns
5.8 AC Characteristics for Load/Program/Erase
Performance
See Timing Diagrams 6.8, 6.9, and 6.10
Note 1) These parameters are tested based on INT bit of interrupt register. Because the time on INT pin is related to the pull-up and pull-down resistor
value.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Sector Load time(Note 1)
t
RD1
-
23
35
μ
s
Page Load time(Note 1)
t
RD2
-
30
45
μ
s
Sector Program time(Note 1)
t
PGM1
-
205
720
μ
s
Page Program time(Note 1)
t
PGM2
-
220
750
μ
s
OTP Access Time(Note 1)
t
OTP
-
500
700
ns
Lock/Unlock/Lock-tight Time(Note 1)
t
LOCK
-
500
700
ns
Erase Suspend Time(Note 1)
t
ESP
-
400
500
μ
s
Erase Resume Time(Note 1)
1 Block
t
ERS1
-
2
3
ms
2~64 Blocks
t
ERS2
4
6
ms
Number of Partial Program Cycles in the sector (Including main and
spare area)
NOP
-
-
2
cycles
Block Erase time (Note 1)
1 Block
t
BERS1
-
2
3
ms
2~64 Blocks
t
BERS2
-
4
6
ms
Multi BlocK Erase Verify Read time(Note 1)
t
RD3
-
70
100
μ
s
5.7 AC Characteristics for Asynchronous Write/Load/
Program/Erase Operation
See Timing Diagrams 6.7, 6.8 and 6.9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH2G16D2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16Q2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16Q2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH2G16D2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16Q2M-DEB | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFH2G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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