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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFH2G16U2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 109/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH2G16U2M-DED6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁當(dāng)前第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
109
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
NOTE:
VA=Valid Read Address, WD=Write Data.
CE
WE
OE
RP
A0-A15
t
CS
DQ0-DQ15
Valid WD
t
DS
RDY
VA
Valid WD
t
WPL
t
WPH
t
WC
t
DH
t
AWES
VA
t
AH
Hi-Z
Hi-Z
CLK
V
IL
t
CH
t
CS
6.7 Asynchronous Write
See AC Characteristics Table 5.7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH2G16U2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16U2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16U2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16U2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G1612M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH2G16U2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16U2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16U2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16U2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH-440-10 | 制造商:PennEngineering (PEM) 功能描述: |
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