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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFH4G1612M-DEB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/125頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH4G1612M-DEB5 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
7
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
1.5 Product Features
Device Architecture
Design Technology:
Supply Voltage:
Host Interface:
5KB Internal BufferRAM:
SLC NAND Array:
Device Performance
Host Interface Type:
Programmable Burst Read Latency:
Multiple Sector Read/Write:
Multiple Reset Modes:
Multi Block Erase:
Low Power Dissipation:
System Hardware
Voltage detector generating internal reset signal from Vcc
Hardware reset input (RP)
Data Protection Modes
User-controlled One Time Programmable(OTP) area
Internal 2bit EDC / 1bit ECC
Internal Bootloader supports Booting Solution in system
Handshaking Feature
Detailed chip information
Packaging
1G products
2G DDP products
4G QDP products
90nm
1.8V (1.7V ~ 1.95V)
16 bit
1KB BootRAM, 4KB DataRAM
(2K+64)B Page Size, (128K+4K)B Block Size
Synchronous Burst Read
- Up to 54MHz clock frequency
- Linear Burst 4-, 8-, 16-, 32-words with wrap around
- Continuous 1K word Sequential Burst
Asynchronous Random Read
- 76ns access time
Asynchronous Random Write
Latency 3(up to 40MHz), 4, 5, 6, and 7
Up to 4 sectors using Sector Count Register
Cold/Warm/Hot/NAND Flash Core Resets
Up to 64 Blocks
Typical Power,
- Standby current :
10uA @ Single , 20uA @ DDP, 40uA @ QDP
- Synchronous Burst Read current(54MHz) :
12mA @ Single, 17mA @ DDP/QDP
- Load current : 30mA
- Program current : 25mA
- Erase current : 20mA
- Multi Block Erase current : 20mA
- Endurance : 100K Program/Erase Cycles
- Data Retention : 10 Years
- Write Protection for BootRAM
- Write Protection for NAND Flash Array
- Write Protection during power-up
- Write Protection during power-down
- INT pin indicates Ready / Busy
- Polling the interrupt register status bit
- by ID register
63ball, 10mm x 13mm x max 1.0mmt, 0.8mm ball pitch FBGA
63ball, 11mm x 13mm x max 1.2mmt, 0.8mm ball pitch FBGA
63ball, 11mm x 13mm x max 1.4mmt, 0.8mm ball pitch FBGA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH4G1612M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DEB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH4G1612M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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