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參數(shù)資料
| 型號： | KFH4G16D2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 47/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH4G16D2M-DED6 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
47
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
This Read/Write register describes the NAND Flash destination block address which will be copy back programmed.
F102h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(000000)
FCBA
Device
Number of Block
FBA
1Gb
1024
FCBA[9:0]
Start Address3 Information
Register Information
Description
FCBA
NAND Flash Copy Back Block Address
2.8.12 Start Address4 Register F103h (R/W)
This Read/Write register describes the NAND Flash destination page address in a block and the NAND Flash destination sector
address in a page for copy back programming.
F103h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(00000000)
FCPA
FCSA
Start Address4 Information
Item
Description
Default Value
Range
FCPA
NAND Flash Copy Back Page
Address
000000
000000 ~ 111111,
6 bits for 64 pages
FCSA
NAND Flash Copy Back Sector
Address
00
00 ~ 11,
2 bits for 4 sectors
2.8.11 Start Address3 Register F102h (R/W)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH4G16D2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH4G16D2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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