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參數(shù)資料
| 型號： | KFH4G16D2M-DIB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 71/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH4G16D2M-DIB5 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
71
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
A block that is in a locked-tight state can only be changed to lock state after a Cold or Warm Reset. Unlock and Lock command
sequences will not affect its state. This is an added level of write protection security.
A block must first be set to a locked state before it can be changed to locked-tight using the Lock-tight command. locked-tight blocks
will revert to a locked state following a Cold or Warm Reset.
Lock-Tight Command Sequence:
Start block address+Lock-tight block command (002Ch)
Locked-tight
3.4.4 NAND Flash Array Write Protection State Diagram
Power On
Start block address
+Unlock block Command
RP pin: High
&
Lock block Command
or
RP pin: High
&
Start block address
+Lock-tight block Command
RP pin: High
&
Start block address
Cold reset or
Warm reset
unlock
Lock
Lock
Lock-tight
Lock
Lock
Lock
Cold reset or
Warm reset
3.4.3.3 Locked-tight NAND Array Write Protection State
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH4G16D2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH4G16D2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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