- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373127 > KFH4G16D2M-DID6 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY(54MHz) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KFH4G16D2M-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 10/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH4G16D2M-DID6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁當(dāng)前第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
10
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
B (capital letter)
Byte, 8bits
W (capital letter)
Word, 16bits
b (lower-case letter)
Bit
ECC
Error Correction Code
Calculated ECC
ECC that has been calculated during a load or program access
Written ECC
ECC that has been stored as data in the NAND Flash array or in the BufferRAM
BufferRAM
On-chip internal buffer consisting of BootRAM and DataRAM
BootRAM
A 1KB portion of the BufferRAM reserved for Boot Code buffering
DataRAM
A 4KB portion of the BufferRAM reserved for Data buffering
Sector
Part of a Page ; 512B for the main data area and 16B for the spare area.
It is also the minimum Load/Program/Copy-Back Program unit
during a 1~4 sector operation is available.
Data unit
Possible data unit to be read from memory to BufferRAM or to be programmed to memory.
- 528B of which 512B is in main area and 16B in spare area
- 1056B of which 1024B is in main area and 32B in spare area
- 1584B of which 1536B is in main area and 48B in spare area
- 2112B of which 2048B is in main area and 64B in spare area
2.2 Definitions
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH4G16Q2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH4G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:4GNOFLASHDX1663 FBGA (10X13) - Bulk |
| KFH4G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。