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參數(shù)資料
| 型號： | KFH4G16Q2M-DED5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 108/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH4G16Q2M-DED5 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁當前第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
108
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
6.6 Asynchronous Read
(AVD is tied to CE)
See AC Characteristics Table 5.5
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
t
ACC
CLK
V
IL
AVD
t
AAVDS
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
AVDP
t
AAVDH
DQ0-DQ15
t
WEA
t
CEZ
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
CE
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
t
ACC
CLK
V
IL
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
RC
DQ0-DQ15
t
CEZ
6.5 Asynchronous Read
(VA and AVD Transition After CE Low)
See AC Characteristics Table 5.5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH4G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16U2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH4G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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