- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373127 > KFH4G16Q2M-DED6 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY(54MHz) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KFH4G16Q2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 92/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH4G16Q2M-DED6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁當前第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
92
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OTP Lock Operation Flow Chart
Start
Write ’FPA, FSA’ of Flash
Add: F107h DQ=0000h
Write ’BSA, BSC’ of DataRAM
Add: F200h DQ=0001h
Write Data into DataRAM
2)
Add: 8th Word
in spare0/sector0/page0
Write Program command
DQ=0080h or 001Ah
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Add: F220h
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Automatically
updated
DQ=XXXCh
Update Controller
Status Register
Add: F240h
DQ[6]=1(OTP
L
)
OTP lock completed
Write ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=FBA
3)
Write ’OTP Access’ Command
Add: F220h DQ=0065h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Do Cold reset
Write ’DFS’, ’FBA’ of Flash
1)
Add: F100h DQ=DFS, FBA
Select DataRAM for DDP
Add: F101h DQ=DBS*
* DBS, DFS is for DDP
2) Data input could be done anywhere between "Start" and "Write Program Command".
3) FBA should point the unlocked area address among NAND Flash Array address map.
Note 1) FBA(NAND Flash Block Address) could be omitted or any address.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH4G16Q2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16U2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16U2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH4G16Q2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。