參數(shù)資料
型號(hào)： KFH4G16U2M-DID5
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁(yè)數(shù)： 105/125頁(yè)
文件大?。?/td> 1657K
代理商： KFH4G16U2M-DID5
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)當(dāng)前第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
105
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
WE Cycle Time
t
WC
70
-
-
ns
AVD low pulse width
t
AVDP
12
-
-
ns
Address Setup Time
t
AWES
0
-
-
ns
Address Hold Time
t
AH
30
-
-
ns
Data Setup Time
t
DS
25
-
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
-
ns
CE Setup Time
t
CS
0
-
-
ns
CE Hold Time
t
CH
10
-
-
ns
WE Pulse Width
t
WPL
40
-
-
ns
WE Pulse Width High
t
WPH
30
-
-
ns
AVD Disable to WE Disable
t
VLWH
15
-
-
ns
WE Disable to AVD Enable
t
WEA
15
-
-
ns
5.8 AC Characteristics for Load/Program/Erase
Performance
See Timing Diagrams 6.8, 6.9, and 6.10
Note 1) These parameters are tested based on INT bit of interrupt register. Because the time on INT pin is related to the pull-up and pull-down resistor
value.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Sector Load time(Note 1)
t
RD1
-
23
35
μ
s
Page Load time(Note 1)
t
RD2
-
30
45
μ
s
Sector Program time(Note 1)
t
PGM1
-
205
720
μ
s
Page Program time(Note 1)
t
PGM2
-
220
750
μ
s
OTP Access Time(Note 1)
t
OTP
-
500
700
ns
Lock/Unlock/Lock-tight Time(Note 1)
t
LOCK
-
500
700
ns
Erase Suspend Time(Note 1)
t
ESP
-
400
500
μ
s
Erase Resume Time(Note 1)
1 Block
t
ERS1
-
2
3
ms
2~64 Blocks
t
ERS2
4
6
ms
Number of Partial Program Cycles in the sector (Including main and
spare area)
NOP
-
-
2
cycles
Block Erase time (Note 1)
1 Block
t
BERS1
-
2
3
ms
2~64 Blocks
t
BERS2
-
4
6
ms
Multi BlocK Erase Verify Read time(Note 1)
t
RD3
-
70
100
μ
s
5.7 AC Characteristics for Asynchronous Write/Load/
Program/Erase Operation
See Timing Diagrams 6.7, 6.8 and 6.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFH4G16U2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG2G1612M-DED5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16U2M-DED6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16U2M-DIB FLASH MEMORY
KFH1G16U2M-DIB5 FLASH MEMORY(54MHz)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFH4G16U2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH63210 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days
KFH63212 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days
KFH-632-12 制造商:Penn 功能描述:
KFH-632-12ET 制造商:PennEngineering (PEM) 功能描述:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*