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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFW1G16D2M-DED5 |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/125頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFW1G16D2M-DED5 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
36
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Division
Address
(word order)
Address
(byte order)
Size
(total 128KB)
Usage
Description
Main area
(64KB)
0000h~00FFh
00000h~001FEh
512B
1KB
R
BootM 0
BootRAM Main sector0
0100h~01FFh
00200h~003FEh
512B
BootM 1
BootRAM Main sector1
0200h~02FFh
00400h~005FEh
512B
4KB
R/W
DataM 0_0
DataRAM Main page0/sector0
0300h~03FFh
00600h~007FEh
512B
DataM 0_1
DataRAM Main page0/sector1
0400h~04FFh
00800h~009FEh
512B
DataM 0_2
DataRAM Main page0/sector2
0500h~05FFh
00A00h~00BFEh
512B
DataM 0_3
DataRAM Main page0/sector3
0600h~06FFh
00C00h~00DFEh
512B
DataM 1_0
DataRAM Main page1/sector0
0700h~07FFh
00E00h~00FFEh
512B
DataM 1_1
DataRAM Main page1/sector1
0800h~08FFh
01000h~011FEh
512B
DataM 1_2
DataRAM Main page1/sector2
0900h~09FFh
01200h~013FEh
512B
DataM 1_3
DataRAM Main page1/sector3
0A00h~7FFFh
01400h~0FFFEh
59K
59K
-
Reserved
Reserved
Spare area
(8KB)
8000h~8007h
10000h~1000Eh
16B
32B
R
BootS 0
BootRAM Spare sector0
8008h~800Fh
10010h~1001Eh
16B
BootS 1
BootRAM Spare sector1
8010h~8017h
10020h~1002Eh
16B
128B
R/W
DataS 0_0
DataRAM Spare page0/sector0
8018h~801Fh
10030h~1003Eh
16B
DataS 0_1
DataRAM Spare page0/sector1
8020h~8027h
10040h~1004Eh
16B
DataS 0_2
DataRAM Spare page0/sector2
8028h~802Fh
10050h~1005Eh
16B
DataS 0_3
DataRAM Spare page0/sector3
8030h~8037h
10060h~1006Eh
16B
DataS 1_0
DataRAM Spare page1/sector0
8038h~803Fh
10070h~1007Eh
16B
DataS 1_1
DataRAM Spare page1/sector1
8040h~8047h
10080h~1008Eh
16B
DataS 1_2
DataRAM Spare page1/sector2
8048h~804Fh
10090h~1009Eh
16B
DataS 1_3
DataRAM Spare page1/sector3
8050h~8FFFh
100A0h~11FFEh
8032B
8032B
-
Reserved
Reserved
Reserved
(24KB)
9000h~BFFFh
12000h~17FFEh
24KB
24KB
-
Reserved
Reserved
Reserved
(8KB)
C000h~CFFFh
18000h~19FFEh
8KB
8KB
-
Reserved
Reserved
Reserved
(16KB)
D000h~EFFFh
1A000h~1DFFEh
16KB
16KB
-
Reserved
Reserved
Registers
(8KB)
F000h~FFFFh
1E000h~1FFFEh
8KB
8KB
R or R/W
Registers
Registers
The following table shows the External Memory address map in Word and Byte Order.
Note that the data output is unknown while host reads a register bit of reserved area.
2.7.3 External Memory (BufferRAM) Address Map
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFW1G16D2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFW1G16D2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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