參數(shù)資料
型號(hào)： KFW1G16D2M-DID6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數(shù)： 112/125頁
文件大?。?/td> 1657K
代理商： KFW1G16D2M-DID6
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
112
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
NOTES:
1. AA = Address of address register
CA = Address of command register
ECD = Erase Command
EMA = Address of memory to be erased
SA = Address of status register
2. “In progress” and “complete” refer to status register
3. Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
Erase Command Sequence (last two cycles)
A0:A15
WE
CE
t
DS
t
DH
t
CH
CA
SA
SA
In
Progress
Complete
ECD
EMA
AA
DQ0-DQ15
OE
Read Status Data
t
WPL
t
CS
t
WPH
t
WC
CLK
V
IL
≈
≈
≈
≈
t
AH
t
AWES
t
BERS
INT
t
CH
t
CS
6.10 Block Erase Operation Timing
See AC Characteristics Tables 5.7 and 5.8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFW1G16Q2M-DEB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16U2M-DEB FLASH MEMORY
KFH1G16U2M-DEB FLASH MEMORY
KFG1G16Q2M-DEB6 FLASH MEMORY(66MHz)
KFW4G16Q2M-DED6 FLASH MEMORY(66MHz)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFW1G16Q2M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16Q2M-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(66MHz)
KFW1G16Q2M-DED5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16Q2M-DED6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(66MHz)
KFW1G16Q2M-DIB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
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