參數(shù)資料
型號(hào)： KM29W040AT
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512K x 8 bit NAND Flash Memory
中文描述： 為512k × 8位NAND快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 15/22頁(yè)
文件大小： 359K
代理商： KM29W040AT
KM29W040AT, KM29W040AIT
FLASH MEMORY
15
READ OPERATION
(INTERCEPTED BY CE)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
Busy
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Dout N+3
Row
Address
t
WB
t
AR
t
CHZ
t
R
t
RR
Address
Column
00h
A
0
~A
7
A
8
~A
15
A
16
~A
18
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
PROGRAM OPERATION
80H
70H
I/O
0
Din
N
1 up to 32 Byte Data
Serial Input
Din
N+1
Din
31
10H
A
0
~ A
7
A
16
~ A
18
A
8
~ A
15
Sequential Data
Input Command
Column
Address
Row
Address
Program
Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Program
I/O
0
=1 Error in Program
t
WC
t
WC
t
WC
t
WB
t
PROG
≈
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM4101IC8 PTSE 16C 16#16 PIN PLUG
KM4101IC8TR3 PTSE 61C 61#20 PIN PLUG
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KM4100IC8TR3 CAP,FXD,CER,U 00000.10,0100.0V,20.0%,1206
KM4100 Low Cost, +2.7V and +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifiers
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