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參數(shù)資料
| 型號： | KM4132G271A-12 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| 中文描述： | 128K的x 32Bit的× 2銀行同步圖形內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 37/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 1000K |
| 代理商： | KM4132G271A-12 |
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KM4132G271A
CMOS SGRAM
Rev.0 (August 1997)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
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19
Read & Write Cycle with Auto Precharge @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
*Note :
1.
t
RCD
should be controlled to meet minimum
t
RAS
before internal precharge start.
(In the case of Burst Length=1 & 2, BRSW mode and Block write)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
A
9
A
8
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Db0
Db1
Db2
Db3
Ra
Rb
Ca
Ra
Rb
Cb
DSF
: Don't care
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM4132G271A-8 | 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271A | 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271BTQ(R)-10 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-7 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G271A-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271AQ-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
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