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參數資料
| 型號： | KM4132G271BQ(R)-8 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| 中文描述： | 128K的x 32位× 2銀行同步圖形RAM的LVTTL |
| 文件頁數： | 45/51頁 |
| 文件大小： | 1033K |
| 代理商： | KM4132G271BQ(R)-8 |
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KM4132G271B
CMOS SGRAM
- 45
Rev. 2.4 (May 1998)
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: Don
′
t care
Active/Precharge Power Down Mode @CAS Lantency=2, Burst Length=4
Precharge
Power-down
Entry
*Note :
1. All banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least "1CLK +
t
SS
" prior to Row active command.
3. Cannot violate minimum refresh specification. (16ms)
*Note 1
Precharge
t
SS
*Note 2
A
9
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
8
t
SS
t
SS
ó
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Ra
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Ca
ó
ó
Ra
ó
ó
Qa0
Qa1
Qa2
ó
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ó
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ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
Active
Power-down
Entry
Active
Power-down
Exit
Read
*Note 3
ó
DSF
ó
ó
ó
ó
t
SS
Precharge
Power-down
Exit
Row Active
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM4132G271BTQ-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G512 | 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM) |
| KM416C1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KM4132G271BQR-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
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