參數(shù)資料
型號(hào)： KM4132G271BTQ-8
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL
中文描述： 128K的x 32位× 2銀行同步圖形RAM的LVTTL
文件頁(yè)數(shù)： 43/51頁(yè)
文件大?。?/td> 1033K
代理商： KM4132G271BTQ-8
KM4132G271B
CMOS SGRAM
- 43
Rev. 2.4 (May 1998)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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19
*Note 1
Burst Read Single bit Write Cycle @Burst Length=2, BRSW
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
*Note :
1. BRSW mode is enabled by setting A
9
"High" at MRS (Mode Register Set).
At the BRSW Mode, the burst length at write is fixed to "1" regardless of programed burst length.
2. When BRSW write command with auto precharge is executed, keep it in mind that
t
RAS
should not be violated.
Auto precharge is executed at the burst-end cycle, so in the case of BRSW write command,
the next cycle starts the precharge.
3. WPB function is also possible at BRSW mode.
Write
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
*Note 2
A
9
A
8
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
DAa0
DAa0
QAb0
QAb1
QAb0
QAb1
DBc0
DBc0
QAd0
QAd1
QAd0
QAd1
RAa
CAa
RBb
CAb
RAc
CBc
CAd
RAc
RAa
RBb
DSF
: Don
′
t care
(CL=2)
(CL=3)
DQ
DQ
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