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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM4132G271BTQ(R)-8 |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| 中文描述： | 128K的x 32位× 2銀行同步圖形RAM的LVTTL |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/51頁(yè) |
| 文件大小： | 1033K |
| 代理商： | KM4132G271BTQ(R)-8 |
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KM4132G271B
CMOS SGRAM
- 35
Rev. 2.4 (May 1998)
0
1
2
3
4
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6
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8
9
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18
19
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
*Note :
1. CS can be don
′
t care when RAS, CAS and WE are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
Read
(A-Bank)
*Note 2
*Note 1
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
A
9
A
8
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
RAa
RBb
RAa
RBb
CAa
CBb
CBd
CAc
CAe
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QBb0
QBb1
QBb2
QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QBb0
QBb1
QBb2
QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
DSF
LOW
: Don
′
t care
(CL=2)
(CL=3)
DQ
DQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM4132G271B | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-10 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-7 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G271BTQR-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271Q10 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:* |
| KM4132G51207 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:New |
| KM4132G512Q-10 | 制造商:SEC 功能描述:SGRAM, 2X256KX32, 100 Pin, Plastic, QFP |
| KM4132G512Q-8T | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
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