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參數(shù)資料
| 型號： | KM416RD2AC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 128/144Mbit RDRAM的256 × 16/18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數(shù)： | 2/64頁 |
| 文件大小： | 4052K |
| 代理商： | KM416RD2AC |
第1頁當(dāng)前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁
Page -1
KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
Direct RDRAM
Rev. 1.01 Oct. 1999
Revision History
Version 1.0 (July 1999) -
Preliminary
- Based on the Rambus Datasheet 1.0 ver.
Version 1.01 (October 1999)
On page 1
- Delete the part numbers of low power.
On page 32
- Add the data of CNFGA Register @ Figure 28.
On page 33
- Add the data of CNFGB Register @ Figure 29 and correct the CORG4..0 field of CNFGB register.
On page 44
- Add the Tj value from TBD to Max. 100
°
C @ Table 18.
On page 46
- Add the
Θ
JC
value from TBD to 0.2
°
C/Watt @ Table 20.
On page 55
- Add the current values for 356MHz and 300MHz RDRAM device.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416RD2AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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| KM416RD2D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD32AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416RD2AD | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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