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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM44L32031BT-G(F)Z |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的規(guī)格版本0.61 |
| 文件頁數(shù)： | 36/53頁 |
| 文件大小： | 669K |
| 代理商： | KM44L32031BT-G(F)Z |
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- 36 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
Current State
CS
RAS CAS
WE
Address
Command
Action
PRECHARG-
ING
(DURING tRP)
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A
10
READ/WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
NOP*4(Idle after
t
RP
)
ILLEGAL
L
L
L
H
X
Refresh
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
ROW
ACTIVATING
(FROM ROW
ACTIVE TO
tRCD)
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A
10
READ/WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
WRITE
RECOVERING
(DURING tWR
OR tCDLR)
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
H
BA, CA, A
10
READ
ILLEGAL*2
L
H
L
L
BA, CA, A
10
WRITE
WRITE
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
Table 9-3. Functional truth table
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM48L16031BT-G(F)Z | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
| KM416L8031BT-G(F)Z | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
| KM44L32031BT-G(L)0 | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| KM48L16031BT-G(L)0 | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| KM416L8031BT-G(L)0 | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44L32031BT-GLZ/Y/0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| KM44S16020CT-G10 | 制造商:SEC 功能描述: |
| KM44S32030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM44S32030B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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