參數(shù)資料
型號: KMM364E213BK
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態(tài) RAM模塊)
中文描述: 200萬× 64的DRAM內(nèi)存(2米× 64動態(tài)內(nèi)存模塊)
文件頁數(shù): 2/20頁
文件大小: 389K
代理商: KMM364E213BK
DRAM MODULE
KMM364E213BK/BS
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
under each DRAM
To all DRAMs
RAS0
CAS0
W0
OE0
A0
U0
A1-A10
A0
B0
A1-An
W0, 2
OE0, 2
U0-U3
U4-U7
A1-An : U0-U7
RAS2
CAS4
W2
OE2
B0
A1-A10
CAS1
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DD5
DQ6
DQ7
U1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DD5
DQ6
DQ7
CAS2
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
U2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DD5
DQ6
DQ7
CAS3
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
U3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DD5
DQ6
DQ7
U4
CAS5
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DD5
DQ6
DQ7
U5
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DD5
DQ6
DQ7
CAS6
DQ54
DQ55
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ62
DQ61
U6
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DD5
DQ6
DQ7
CAS7
DQ63
DQ64
DQ65
DQ66
DQ67
DQ68
DQ69
DQ70
U7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DD5
DQ6
DQ7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM364E213CK 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態(tài) RAM模塊)
KMM364E400CK 4Mx64 DRAM DIMM(4Mx64 動態(tài) RAM模塊)
KMM364E410CK 4Mx64 DRAM DIMM(4Mx64 動態(tài) RAM模塊)
KMM366F1680BK2 16M x 64 DRAM DIMM(16M x 64 動態(tài) RAM模塊)
KMM366F1600BK2 16M x 64 DRAM DIMM(16M x 64 動態(tài) RAM模塊)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMM366S1623AT 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
KMM366S1623AT-G0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
KMM366S1623AT-G2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
KMM366S1623AT-G8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
KMM366S1623BT 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PC100 SDRAM MODULE