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參數(shù)資料
| 型號： | KMM366F484BS1 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 64的DRAM內(nèi)存（4米× 64動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 18/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 413K |
| 代理商： | KMM366F484BS1 |
DRAM MODULE
KMM366F40(8)4BS1
CAS-BEFORE-RAS REFRESH COUNTER TEST CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
COLUMN
ADDRESS
t
RAS
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RSH
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CPT
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CAS
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READ CYCLE
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DATA-OUT
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WRITE CYCLE
V
IH
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DATA-IN
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W
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V
IH
-
V
IL
-
W
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WP
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RWL
t
WRP
t
WRH
VALID
DATA-IN
NOTE : This timing diagram is applied to all devices besides 64M DRAM based modules.
t
CEZ
t
WEZ
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PDF描述 |
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