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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM372V3200BK3 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32M x 72 DRAM DIMM(32M x 72 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 32M × 72配置的DRAM內(nèi)存（32M × 72配置動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 415K |
| 代理商： | KMM372V3200BK3 |
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DRAM MODULE
KMM372V320(8)0BK3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Vcc
Vss
0.1 or 0.22uF Capacitor
under each DRAM
To all DRAMs
RAS0
CAS0
W0
A0
OE0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U0
A1-A11(A12)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U5
NOTE : A12 is used for only KMM372V3280BK3(8K Ref.)
A0
B0
A1-A11(A12)
W0, OE0
W2, OE2
U0-U8, U18-U26
U9-U17, U27-U35
U0-U35
U0-U8, U18-U26
U9-U17, U27-U35
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U6
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U8
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U18
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U19
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U20
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U21
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U23
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U24
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U25
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U26
RAS1
CAS1
RAS3
CAS5
W2
B0
OE2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U27
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U28
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U29
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U30
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U32
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U33
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U34
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U35
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U9
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U10
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U11
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U12
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U16
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
U17
RAS2
CAS4
A1-A11(A12)
U4
U13
U22
U31
DQ0
-
35
DQ36
-
71
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KMM372V3280BS1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 72 DRAM DIMM with ECC using 16Mx4, 4K 8K Refresh, 3.3V |
| KMM372V3280CK4 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 72 DRAM DIMM with ECC using 16Mx4, 4K 8K Refresh, 3.3V |
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