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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMPC8378ECVRALG |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 42/128頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MPU POWERQUICC II 689-PBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2 |
| 系列： | MPC83xx |
| 處理器類型： | 32-位 MPC83xx PowerQUICC II Pro |
| 速度： | 667MHz |
| 電壓： | 1V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 689-BBGA 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 689-TEPBGA II（31x31） |
| 包裝： | 托盤 |
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MPC8378E PowerQUICC II Pro Processor Hardware Specifications, Rev. 8
20
Freescale Semiconductor
The minimum frequency for DDR2 is 250 MHz data rate (125 MHz clock), 167 MHz data rate (83 MHz
clock) for DDR1. This figure shows the DDR1 and DDR2 SDRAM output timing for the MCK to MDQS
skew measurement (tDDKHMH).
MDQ//MDM output setup with respect to MDQS
400 MHz data rate
333 MHz data rate
266 MHz data rate
200 MHz data rate
tDDKHDS,
tDDKLDS
550
800
1100
1200
—
ps
MDQ//MDM output hold with respect to MDQS
400 MHz data rate
333 MHz data rate
266 MHz data rate
200 MHz data rate
tDDKHDX,
tDDKLDX
700
800
1100
1200
—
ps
MDQS preamble start
tDDKHMP
–0.5
× tMCK –0.6
–0.5
× tMCK + 0.6
ns
MDQS epilogue end
tDDKHME
–0.6
0.6
ns
Notes:
1. The symbols used for timing specifications follow the pattern of t(first two letters of functional block)(signal)(state) (reference)(state) for
inputs and t(first two letters of functional block)(reference)(state)(signal)(state) for outputs. Output hold time can be read as DDR timing
(DD) from the rising or falling edge of the reference clock (KH or KL) until the output went invalid (AX or DX). For example,
tDDKHAS symbolizes DDR timing (DD) for the time tMCK memory clock reference (K) goes from the high (H) state until
outputs (A) are setup (S) or output valid time. Also, tDDKLDX symbolizes DDR timing (DD) for the time tMCK memory clock
reference (K) goes low (L) until data outputs (D) are invalid (X) or data output hold time.
2. All MCK/MCK referenced measurements are made from the crossing of the two signals ±0.1 V.
3. ADDR/CMD includes all DDR SDRAM output signals except MCK/MCK, MCS, and MDQ//MDM/MDQS.
4. Note that tDDKHMH follows the symbol conventions described in Note 1. For example, tDDKHMH describes the DDR timing
(DD) from the rising edge of the MCK[n] clock (KH) until the MDQS signal is valid (MH). tDDKHMH can be modified through
control of the DQSS override bits in the TIMING_CFG_2 register. This will typically be set to the same delay as the clock
adjust in the CLK_CNTL register. The timing parameters listed in the table assume that these 2 parameters have been set
to the same adjustment value. See the
MPC8379E PowerQUICC II Pro Host Processor Reference Manual for a description
and understanding of the timing modifications enabled by use of these bits.
5. Determined by maximum possible skew between a data strobe (MDQS) and any corresponding bit of data MDQ, ECC, or
data mask (MDM). The data strobe should be centered inside of the data eye at the pins of the microprocessor.
6. All outputs are referenced to the rising edge of MCK
n at the pins of the microprocessor. Note that tDDKHMP follows the
symbol conventions described in Note 1.
7. Clock Control register is set to adjust the memory clocks by 1/2 the applied cycle.
8. See AN3665, “MPC837xE Design Checklist,” for proper DDR termination.
Table 21. DDR1 and DDR2 SDRAM Output AC Timing Specifications (continued)
Parameter
Symbol1
Min
Max
Unit
Note
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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