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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KOM2057L |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 光敏二極管 |
| 英文描述： | 3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array |
| 中文描述： | PHOTO DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | KOM2057L |
KOM 2057 L
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
°
C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
– 40 ... + 80
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom Gehuse
entfernt bei Ltzeit
t
=
≤
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance from
case bottom (
t
=
≤
3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°
C
Total power dissipation
T
S
230
°
C
V
R
32
V
P
tot
150
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C, Normlicht A, 2856 K) für jede Einzeldiode
Characteristics
(
T
A
= 25
°
C, standard light A, 2856 K) per single diode
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity,
V
R
= 5 V
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Symbol
Symbol
S
Wert
Value
80 (
≥
50)
Einheit
Unit
nA/Ix
λ
S max
880
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
λ
400 ... 1100
nm
A
7
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfinlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
×
B
L
×
W
H
2.65
×
2.65
mm x mm
Abstand Chipoberflche zu
Gehuseoberflche
Distance chip front to case surface
0.4 ... 0.6
mm
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
±
60
Grad
deg.
I
R
2 (
≤
30)
nA
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