參數(shù)資料
型號: KOM2100B
廠商: SIEMENS A G
元件分類: 光敏二極管
英文描述: 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array
中文描述: PHOTO DIODE
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 238K
代理商: KOM2100B
Semiconductor Group
471
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Quantenausbeute
Quantum yield
η
0.9
0.85
Electrons
Photon
Maximale Abweichung der
Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
Kurzschlustrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
S
±
10
±
10
%
I
SC
8.5
8
μ
A
V
O
320 (
250)
320 (
250)
mV
Anstiegszeit/Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
,
V
R
= 10 V;
λ
= 850 nm;
I
P
= 800
μ
A
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA;
E
= 0
Forward voltage
t
r
,
t
f
13
13
ns
V
F
1.2
1.2
V
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V
; f
= 1 MHz;
E
= 0
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
P
Temperature coefficient of
I
P
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
C
0
25
25
pF
TC
V
– 2.6
– 2.6
mV/K
TC
I
0.18
0.18
%/K
NEP
2.6
×
10
–14
2.8
×
10
–14
W
Hz
D*
6.1
×
10
12
5.7
×
10
12
cm ·
Hz
W
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm) für jede Einzeldiode
Characteristics
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm) per single diode
Bezeichnung
Description
Sym-
bol
Wert
Value
Einheit
Unit
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
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PDF描述
KOM2100BF 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array
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參數(shù)描述
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