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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KOM2100BF |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 光敏二極管 |
| 英文描述： | 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array |
| 中文描述： | PHOTO DIODE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 238K |
| 代理商： | KOM2100BF |
Semiconductor Group
470
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
A
;
T
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
°
C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
– 40 ... + 80
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°
C
Total power dissipation
V
R
20
V
P
tot
150
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm) für jede Einzeldiode
Characteristics
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm) per single diode
Bezeichnung
Description
Sym-
bol
Wert
Value
Einheit
Unit
KOM 2100 B
9 (
≥
7)
KOM 2100 BF
8.5 (
≥
6.6)
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S
μ
A
λ
S max
870
870
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
λ
400 ... 1100
730 ... 1100
nm
A
2.5
2.5
mm
2
Abmessung der
bestrahlungsempfinlichen Flche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberflche zu Vergu
β
ober-
flche
Distance chip front to case seal
L
×
B
L
×
W
H
1
×
2.5
1
×
2.5
mm x mm
0.4 ... 0.6
0.4 ... 0.6
mm
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
±
60
±
60
Grad
deg.
I
R
1 (
≤
10)
1 (
≤
10)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
S
λ
0.68
0.64
A/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KOM2125 | NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode in SMT NEW: 2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT |
| KP-1608SURC | 1.6x0.8mm SMD CHIP LED LAMP |
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| KP-2012P3C | Made with silicon phototransistor chips |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KOM2125 | 制造商:OSRAM 功能描述:2 Chip PIN Photodiode, KOM2125 |
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