參數(shù)資料
型號： KSA1015Y
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY AMPLIFIER
中文描述： 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： KSA1015Y
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A3, September 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
ST9
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
NF
Noise Figure
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
-50
-50
-5
-150
-50
400
125
-65 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -10mA, I
B
=0
I
E
= -10
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -50V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -6V, I
C
= -2mA
V
CE
= -6V, I
C
= -150mA
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
V
CE
= -10V, I
C
=-1mA
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
= -6V, I
C
= -0.1mA
f=100Hz, R
G
=10k
Min.
-50
-50
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
-0.1
-0.1
400
DC Current Gain
70
25
-0.1
-0.3
-1.1
V
V
80
MHz
pF
dB
4
7
6
0.5
O
Y
GR
h
FE1
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
KSA1015
LOW FREQUENCY AMPLIFIER
Collector-Base Voltage : V
CBO
= -50V
Complement to KSC1815
1. Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92
1
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PDF描述
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KSA1015YIUBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1015YIUTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1015YTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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