參數(shù)資料
型號(hào)： KSA1406
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： CRT Display, Video Output
中文描述： 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： KSA1406
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(Sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(Sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
C
re
Reverse Transfer Capacitance
* h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
- 200
- 200
- 4
- 100
- 200
1.2
7
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mA
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= - 10
μ
A, I
B
= 0
I
C
= - 1mA, R
BE
=
∞
I
E
= - 100
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= - 150V, I
C
= 0
V
BE
= - 2V, I
E
= 0
V
CE
= - 10V, I
C
= - 10mA
V
CE
= - 10V, I
C
= - 60mA
I
C
= - 30mA, I
C
= - 3mA
I
C
= - 30mA, I
C
= - 3mA
V
CE
= - 30V, I
C
= - 30mA
V
CB
= - 30V, f = 1MHz
V
CB
= - 30V, f = 1MHz
Min.
- 200
- 200
- 4
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
- 0.1
- 0.1
120
DC Current Gain
40
20
- 0.8
- 1.8
V
V
400
2.3
1.7
MHz
pF
pF
C
D
h
FE1
40 ~ 80
60 ~ 120
KSA1406
CRT Display, Video Output
High Current Gain Bandwidth Product : f
T
= 400MHz (Typ.)
High Collector-Base Breakdown Voltage : V
CBO
= -200V
Low Reverse Transfer Capacitance : C
re
=1.7pF (Typ.)
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
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