參數(shù)資料
型號： KSA642Y
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 300 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： KSA642Y
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
* Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
10ms, Duty cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
* DC Current Gain
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty cycle
≤
2%
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
-30
-25
-5
-300
-500
400
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -10mA. I
B
=0
I
E
= -10
μ
A. I
C
=0
V
CB
= -25V, I
E
=0
V
EB
= -3V, I
C
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -50mA
I
C
= -300mA, I
B
= -30mA
Min.
-30
-25
- 5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
-100
-100
400
-0.6
70
-0.35
V
O
Y
G
h
FE
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
KSA642
Low Frequency Power Amplifier
Complement to KSD227
Collector Power Dissipation : P
C
= 400mW
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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