參數(shù)資料
型號(hào)： KSC2759OS62Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 107K
代理商： KSC2759OS62Z
KSC2759
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSC2759O UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
KSC5060 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
KSC5060Y 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
KSC5060YJ69Z 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
KSC5060RJ69Z 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSC2759RMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC2759YMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC2784 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN (AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER)
KSC2784FBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC2784FTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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