參數(shù)資料
型號： KSC2982
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Strobe Flash & Medium Power Amplifier
中文描述： 2000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 65K
代理商： KSC2982
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A3, February 2003
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
* PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
30%
Mounted on Ceramic Board (250mm
2
x0.8mm)
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
h
FE1
Classification
Classification
h
FE1
Symbol
Parameter
Value
30
30
10
6
2
4
0.4
0.8
500
1,000
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
V
A
A
A
A
mW
mW
°
C
°
C
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
P
C
*
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current (DC)
* Collector Current (Pulse)
Base Current (DC)
* Base Current (Pulse)
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
Parameter
Test Condition
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=1mA, I
C
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
BE
=6V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=0.5A
V
CE
=1V, I
C
=2A
I
C
=2A, I
B
=50mA
V
CE
=1V, I
C
=2A
V
CE
=1V, I
C
=2A
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
10
6
Typ.
Max.
Units
V
V
nA
nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
100
100
600
140
70
140
0.2
0.86
150
27
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
0.5
1.5
V
V
MHz
pF
A
B
C
D
140 ~ 240
200 ~ 330
300 ~ 450
420 ~ 600
KSC2982
Strobe Flash & Medium Power Amplifier
Excellent h
FE
Linearity : h
FE1
=140 ~ 600
Low Collector-Emitter Saturation Voltage : V
CE
(sat)=0.5V
Collector Dissipation : P
C
=1~2W in Mounted on Ceramic Board
SSX
Marking
h
FE
grade
1. Base 2. Collector 3. Emitter
SOT-89
1
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