參數(shù)資料
型號(hào)： KSC3503
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： CRT Display, Video Output
中文描述： 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： KSC3503
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. Static Characteristic
Figure 3. DC current Gain
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Collector Output Capacitance
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
I
B
= 120
μ
A
I
B
= 100
μ
A
I
B
= 80
μ
A
I
B
= 60
μ
A
I
B
= 40
μ
A
I
B
= 20
μ
A
I
B
= 0
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
I
B
= 60
μ
A
I
B
= 50
μ
A
I
B
= 40
μ
A
I
B
= 30
μ
A
I
B
= 20
μ
A
I
B
= 10
μ
A
I
B
= 0
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V
CE
= 10V
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V
CE
= 10V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
f = 1MHz
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
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PDF描述
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KSC3503CSTU 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
KSC3503DS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC3503DSTSSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC3503DSTSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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